日本napson緊湊手動(dòng)非接觸式電阻測(cè)量?jī)x
產(chǎn)品特點(diǎn)
一種簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器，只需在探針之間插入樣品即可進(jìn)行測(cè)量
在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
*由于探頭是固定的，因此您可以在購(gòu)買前從幾種探頭中選擇一種。
日本napson緊湊手動(dòng)非接觸式電阻測(cè)量?jī)x
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁(yè)電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）
測(cè)量尺寸
?8英寸，或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁(yè)電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
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